1、HNDL系列大電流發(fā)生器三相大電流試驗(yàn)裝置
    

大電流試驗(yàn)設(shè)備按照使用一般分為以下幾種：

1、單相大電流發(fā)生器

2、三相大電流發(fā)生器

3、智能型全自動(dòng)大電流發(fā)生器

4、溫升大電流發(fā)生器  溫升試驗(yàn)設(shè)備  JP柜溫升試驗(yàn)裝置

5、直流大電流發(fā)生器

6、熔斷器大電流試驗(yàn)裝置
 CAN總線作為應(yīng)用非常廣泛的現(xiàn)場(chǎng)總線，保證CAN總線一致性非常重要，DLC作為CAN幀的一部分，它的正確與否直接影響到總線通信。那么DLC代表什么?它的功能是什么?如何測(cè)試驗(yàn)證其正確性?CAN總線是ISO標(biāo)準(zhǔn)化的串行通信協(xié)議。在汽車產(chǎn)業(yè)中，出于對(duì)安全性、舒適性、方便性、低公害、低成本的要求，各樣的電子控制系統(tǒng)被開發(fā)了出來。由于這些系統(tǒng)之間通信所用的數(shù)據(jù)類型及對(duì)可靠性的要求不盡相同，由多條總線構(gòu)成的情況很多，線束的數(shù)量也隨之增加。

1）基本型 可采用串并聯(lián)，主要于電力系統(tǒng)的一次母線保護(hù)和電流互感器變比等試驗(yàn)，也可以對(duì)電流繼電器及開關(guān)行程時(shí)間、過流速斷、傳動(dòng)等試驗(yàn)進(jìn)行整定。

2）集成型 集電流，時(shí)間，變比，極性于一體 為供電局，電廠現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試。

3）瞬沖型  無需預(yù)調(diào)。（熔斷器測(cè)試儀）電流直接輸出額定值。對(duì)負(fù)載自適應(yīng)。用于熔斷器測(cè)試。

4）溫升型  用于開關(guān)柜，母線槽等電器的溫升試驗(yàn) 但是由于這種探頭的帶寬只能做到6MHz左右，所以隨著開關(guān)電源頻率的提升，這種探頭便不再適合使用。目前常用的電源測(cè)量探頭是10:1無源探頭、100:1無源探頭、高壓差分探頭。探頭的選擇上要考慮電壓范圍，被測(cè)電壓不要超出探頭允許的范圍。比如說一般的10:1的無源探頭，其低頻耐壓值是300VRMS，且隨著頻率的升高而降低。如所示。使用之前要測(cè)量信號(hào)的電壓范圍在此范圍內(nèi)。否者將無法進(jìn)行正確的測(cè)量。10:1無源探頭輸入額定電壓曲線除此之外，還需要考慮探頭衰減比對(duì)底噪的放大，從而判斷信號(hào)的真實(shí)有效部分。

功能特點(diǎn)：

1 采用進(jìn)口0.23鐵芯，電效率高鐵心無氣隙，疊裝系數(shù)可高達(dá)95％以上，鐵心磁導(dǎo)率可取1.5～1.8T（疊片式鐵心只能取1.2～1.4T），電效率高達(dá)95％以上，空載電流只有疊片式的10％。

2  采用環(huán)形設(shè)計(jì)。體積小重量輕，環(huán)形變壓器比疊片式變壓器重量可以減輕一半.

　3 磁干擾較小環(huán)形變壓器鐵心沒有氣隙，繞組均勻地繞在環(huán)形的鐵心上，這種結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了漏磁小，電磁輻射也小，無需另加屏蔽都可以用到高靈敏度高準(zhǔn)度的電子設(shè)備上采用  也就是說，只要振鈴、過沖和地電平反彈不導(dǎo)致邏輯跳變，那么這些模擬特點(diǎn)對(duì)MSO就不是問題。與邏輯分析儀一樣，MSO使用門限電壓，確定信號(hào)是邏輯值高還是邏輯值低。MSO4系列可以為每條通道立設(shè)置門限，適合調(diào)試帶有混合邏輯家族的電路。MSO4在其中一個(gè)數(shù)字探頭適配夾上測(cè)量五個(gè)邏輯信號(hào)，它同時(shí)測(cè)量三個(gè)TTL(晶體管-晶體管邏輯)信號(hào)和兩個(gè)LVPECL(低壓正發(fā)射器-耦合邏輯)信號(hào)。MSO2和MSO3系列則為每個(gè)探頭適配夾設(shè)置門限(一組8條通道)，因此TTL信號(hào)將位于個(gè)適配夾上，而LVPECL信號(hào)則位于第二個(gè)適配夾上。

4  采用0.2級(jí)數(shù)字式真有效值電流表顯示，準(zhǔn)度高。而且無需外附標(biāo)準(zhǔn)CT及其他附件，簡(jiǎn)潔直觀。  

5 采用0.2S級(jí)高準(zhǔn)度電流互感器，保證電流信號(hào)的線性度和高準(zhǔn)度輸出.

6 內(nèi)置高準(zhǔn)度毫秒計(jì)。滿足時(shí)間高準(zhǔn)度測(cè)試的需要。           

一直以來，工程師關(guān)注的一個(gè)重點(diǎn)就是波形的穩(wěn)定性分析。然而在對(duì)波形的長(zhǎng)時(shí)間監(jiān)控中，突發(fā)的數(shù)據(jù)干擾往往難以捕捉定位，就成為了許多工程師的心頭之患。本文介紹幾種實(shí)用分析功能，協(xié)助工程師們快速定位異常數(shù)據(jù)的位置。查看波形是電子測(cè)量?jī)x器常用的一個(gè)功能。為了確保波形是否穩(wěn)定運(yùn)行，工程師們往往需要對(duì)觀測(cè)信號(hào)進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間的采樣檢測(cè)，本文介紹ZDL6示波記錄儀常用的3種波形異常檢測(cè)功能，可以通過這3種功能迅速定位到異常數(shù)據(jù)的發(fā)生位置，大大提高測(cè)試效率。技術(shù)參數(shù)：                        

輸入電源：AC 220V /380V  50HZ             

電流輸出：0－ 1000A        準(zhǔn)度：0.5或0.2  分辨率：0.01A

電流輸出：1000－ 5000A     準(zhǔn)度：0.5或0.2  分辨率：0.1A

電流輸出：5000－ 10000A    準(zhǔn)度：0.5 或0.2 分辨率：1A

電流輸出：10000－50000A    準(zhǔn)度：0.5 或0.2 分辨率：1A

輸出端開口電壓：≥6V

時(shí)間測(cè)試：0.001S－9999.999S  分辨率：0.001S

三相大電流試驗(yàn)裝置半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝后測(cè)試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控制測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey后，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。低時(shí)延是5G區(qū)別于前幾代移動(dòng)通信的主要特征，但也給承載網(wǎng)尤其是5G前傳承載網(wǎng)帶來了挑戰(zhàn)。uRLLC業(yè)務(wù)要求時(shí)延小于1ms，分配給承載網(wǎng)設(shè)備的時(shí)延非常苛刻，傳統(tǒng)的承載設(shè)備幾十微秒的時(shí)延難以滿足要求，為5G承載帶來了挑戰(zhàn)。另一方面，5G業(yè)務(wù)的帶寬需求也有著大幅的增長(zhǎng)，在C-RAN架構(gòu)下，一個(gè)典型的5G基站的前傳帶寬達(dá)到了3-6路25G，傳統(tǒng)的光纖直驅(qū)難以滿足需求。作為綜合通信解決方案提供商，中興通訊在低時(shí)延高可靠性傳輸方面有著深厚的技術(shù)積累。