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程控直流恒流源廠家

更新時(shí)間:2024-07-20

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廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家

生產(chǎn)地址:山東省青島市平度南京路27號(hào)

簡(jiǎn)要描述:
程控直流恒流源廠家功能簡(jiǎn)介,儀表由信號(hào)發(fā)生器、故障檢測(cè)器和信號(hào)采集器(鉗表)三部分組成,信號(hào)發(fā)生器與直流系統(tǒng)正負(fù)母線和地相連,當(dāng)直流系統(tǒng)出現(xiàn)接地故障后,它會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生一個(gè)低頻小信號(hào),故障檢測(cè)器與鉗表立于信號(hào)發(fā)生器,故障檢測(cè)器與鉗表之間使用連接線相連
品牌其他品牌產(chǎn)地類別國(guó)產(chǎn)
應(yīng)用領(lǐng)域電氣

HNZDL系列可編程直流穩(wěn)壓大電流電源程控直流恒流源廠家
程控直流恒流源廠家
一、產(chǎn)品特點(diǎn) 

1、采用超大真彩大液晶觸摸屏人機(jī)界面,方便直接編程操作。直流開關(guān)試驗(yàn)裝置見其他詳細(xì)介紹

2、本機(jī)一次可執(zhí)行不同電壓、電流、延遲時(shí)間、運(yùn)行時(shí)間的設(shè)定,并可連續(xù)循環(huán)999999次。

3、輸出電壓可以從零伏起調(diào);輸出電流可以從零預(yù)置;

4、具有10組記憶組,可以將以前使用過(guò)的參數(shù)存儲(chǔ),以便下次使用時(shí)輕松調(diào)用。

5、 具有RS232、RS485通訊接口。功率分析儀在測(cè)試時(shí)出現(xiàn)的數(shù)據(jù)跳動(dòng)、效率異常等現(xiàn)象,很多時(shí)候與信號(hào)的頻率是否準(zhǔn)確測(cè)量有著很大的關(guān)系,本文就對(duì)頻率測(cè)量的重要性進(jìn)行分析,希望能幫助大家進(jìn)行更準(zhǔn)確的測(cè)量。我們來(lái)看看為什么頻率的測(cè)量對(duì)其他參數(shù)會(huì)造成如此大的影響。同步源的選擇用過(guò)功率分析儀的工程師一定會(huì)記得,在對(duì)儀器進(jìn)行設(shè)置的時(shí)候,一個(gè)叫“同步源"的設(shè)置選項(xiàng),該選項(xiàng)包括了各個(gè)測(cè)試通道的電壓和電流,工程師可以自主來(lái)進(jìn)行選擇。該選項(xiàng)的選擇對(duì)直流信號(hào)測(cè)試影響不大,但對(duì)交流信號(hào)的測(cè)試會(huì)有很大的影響。

6、恒定電壓、恒定電流之使用, 可自動(dòng)交叉變換,維持控制與保護(hù)兼顧

7、高頻PWM硬件調(diào)整控制技術(shù),反應(yīng)速度快,輸出穩(wěn)定  

7、具有輸出穩(wěn)壓、限流、短路保護(hù)和功率器件過(guò)熱保護(hù)功能; 優(yōu)良的輸出穩(wěn)定性能:源電壓效應(yīng)<0.5%,負(fù)載效應(yīng)<1%;

8、輸出直流電壓畸變系數(shù)低,干擾小; 在短路和過(guò)載故障時(shí),可調(diào)節(jié)限流電位器來(lái)限制輸出電流值,從額定值的50%至105%之間變化;上升和下降時(shí)間決定脈沖行為,因此也決定著雕刻速度?;旌蠚怏w中的氮會(huì)降低脈沖頻率至1kHz左右。這對(duì)于過(guò)去的很多應(yīng)用已經(jīng)足夠,但對(duì)于未來(lái)的需求來(lái)說(shuō)是不夠的。典型的激光功率和時(shí)間關(guān)系圖顯示出±5~1%的偏差值。這不適合控制3D雕刻材料。被測(cè)試的激光器的激光指向穩(wěn)定性出奇的好,這對(duì)于聲光調(diào)制器的使用(對(duì)入射角非常敏感)將起著直接的影響。在接近聲光調(diào)制器的功率極*,鍺晶體對(duì)不良的激光場(chǎng)模式非常敏感。

9、適用于阻性、感性等負(fù)載;負(fù)載適應(yīng)性強(qiáng);程控直流恒流源廠家

二、主要用途及適用范圍 

1、電解電容器老練,鉭電容器賦能

2、電阻器、繼電器,馬達(dá)等電子元件老練,例行試驗(yàn)

3、實(shí)驗(yàn)室,電子設(shè)備、自動(dòng)測(cè)試設(shè)備

4、電子檢驗(yàn)設(shè)備、生產(chǎn)線設(shè)備、通訊設(shè)備

,testo33LL可以測(cè)量壓差,然而在燃燒器調(diào)試等一些應(yīng)用,壓力傳感器的精度并不能滿足檢測(cè)需求。德圖帶你領(lǐng)略testo33LL煙氣分析儀不一樣的壓力測(cè)量技能。安裝方式:將環(huán)境溫度傳感器從testo33LL上取下,并安裝在精密壓力探頭上。將精密壓力探頭通訊電纜連接至testo33LL上的環(huán)境溫度傳感器插口。將軟管連接至測(cè)量壓力接口。按照上述方式完成精密壓力探頭的安裝,即可進(jìn)行差壓測(cè)量,精度可達(dá)±.3Pa,測(cè)量速率max.1米/秒。交流輸入 15KW以下(單相110V±10%、220V±10%、或者三相380V±15%)

15KW以上(三相380V±15%)

頻率:50HZ、60HZ、400HZ任選

直流輸出 電壓(穩(wěn)壓值CC):0- 6000V連續(xù)可調(diào)  

電流(恒流值CV):0- 100000A連續(xù)可調(diào)   

源電壓效應(yīng) ≤0.2%有效值 CAN一致性測(cè)試主要分為物理層、鏈路層、應(yīng)用層三大部分測(cè)試內(nèi)容。在CAN網(wǎng)絡(luò)中,各節(jié)點(diǎn)遵循CAN一致性測(cè)試是保證總線穩(wěn)定運(yùn)行的重要前提。在物理層中,CAN總線設(shè)計(jì)規(guī)范對(duì)于CAN節(jié)點(diǎn)的輸入電壓閾值有著嚴(yán)格的規(guī)定,如果節(jié)點(diǎn)的輸入電壓閾值不符合規(guī)范,則在現(xiàn)場(chǎng)組網(wǎng)后容易出現(xiàn)不正常的工作狀態(tài),各節(jié)點(diǎn)間出現(xiàn)通信故障,所以輸入電壓閾值測(cè)試也是CAN物理層一致性測(cè)試中的重要部分。測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)每個(gè)廠家在產(chǎn)品投入使用前,都要進(jìn)行CAN節(jié)點(diǎn)的輸入電壓閾值測(cè)試,一般都是遵循ISO11898-2輸入電壓閾值標(biāo)準(zhǔn),具體要求如表1所示。

負(fù)載效應(yīng) 穩(wěn)壓精度:≤0.5%有效值(阻性負(fù)載)

恒流精度:≤0.5%有效值(阻性負(fù)載)

輸出紋波 穩(wěn)壓狀態(tài)(CC):≤0.3%+10mV(rms)(有效值)

穩(wěn)流狀態(tài)(CV):≤0.5%+10mA(rms)(有效值)

輸出顯示 4位半數(shù)字表     精度 :±1% +1個(gè)字

顯示格式  00.00V-19.99V;000.0V-199.9V;0000V-1999V;

電壓電流設(shè)定 多圈電位器、按鍵式、液晶觸摸屏(可選)

過(guò)壓保護(hù) 內(nèi)置O.V.P保護(hù),保護(hù)值為額定值+5%,保護(hù)后關(guān)閉輸出,重新開機(jī)解鎖

過(guò)流保護(hù) 過(guò)載、短路、定電流輸出程控直流恒流源廠家半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造,晶圓測(cè)試,芯片封裝和封裝后測(cè)試組成,晶圓制造和芯片封裝討論較多,而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化,下面集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容,主要集中在WAT,CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT(WaferAcceptanceTest)測(cè)試,也叫PCM(ProcessControlMonitoring),對(duì)Wafer劃片槽(ScribeLine)測(cè)試鍵(TestKey)的測(cè)試,通過(guò)電性參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定,CMOS的電容,電阻,Contact,metalLine等,一般在wafer完成制程前,是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù),測(cè)試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上,ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上,由WATRecipe自動(dòng)控制測(cè)試位置和內(nèi)容,測(cè)完某條TestKey后,ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey,直到整片Wafer測(cè)試完成。程控直流恒流源廠家其典型的信噪比為55dB,而8位示波器一般只有35~40dB。是將一個(gè)多諧波信號(hào)分別輸入到8位和12位示波器,轉(zhuǎn)化到頻域觀察的圖形。兩者頻域的垂直刻度和基準(zhǔn)都一樣??梢钥闯?,12位示波器的頻域噪底比8位示波器低大約lOdB。我們來(lái)看一個(gè)實(shí)際的測(cè)試案例:需要對(duì)某開關(guān)電源產(chǎn)品中的功率MOS管進(jìn)行分析。其中有一個(gè)測(cè)試項(xiàng)是MOS管導(dǎo)通損耗。分別用電壓和電流探頭測(cè)量漏源電壓Vds與漏極電流Ids,在示波器上將兩個(gè)波形相乘得到功率波形,導(dǎo)通期間的功率就是導(dǎo)通損耗。

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