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HN8061A兆歐表檢定裝置

 青島華能生產(chǎn)接地導(dǎo)通測試儀校驗(yàn)儀

依據(jù)JJG1005—2005《電子式絕緣電阻表檢定規(guī)程》、JJG622—1997《絕緣電阻表（兆歐表）檢定規(guī)程》,用于檢定電子式絕緣電阻表的示值誤差、跌落電壓、短路電流。
二、主要技術(shù)指標(biāo)
絕緣電阻表檢定裝置(兆歐表檢定裝置)主要用來檢定額定電壓≤10000V的絕緣電阻表，也可在絕緣電阻表生產(chǎn)、修理中作標(biāo)準(zhǔn)器具。其電阻器部分可單使用。數(shù)字表部分可測5000V的直流電壓和大20mA的直流電流。
本檢定裝置的主要技術(shù)性能如下：
㈠ 標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字表
1、測量范圍：
電壓分兩檔：0～5000V  0～10000V  
 短路電流：0～2mA    0～20mA

電阻0-200G-1T-10T 位于總體結(jié)構(gòu)上較低層級的霧節(jié)點(diǎn)，如單個計(jì)算機(jī)，可以直接連接到本地傳感器和執(zhí)行器上，以便能夠及時分析數(shù)據(jù)，解釋異常工況。如果已經(jīng)獲得授權(quán)的話，它還可以自主地響應(yīng)和補(bǔ)償問題或解決問題。另外，霧節(jié)點(diǎn)還可以將更高級別霧層次結(jié)構(gòu)的適當(dāng)服務(wù)請求，發(fā)送給擁有更好的技術(shù)資源、機(jī)器學(xué)習(xí)能力或維護(hù)服務(wù)的提供商。如果工況需要實(shí)時決策，在設(shè)備受損之前將其停機(jī)，或調(diào)整關(guān)鍵過程參數(shù)，霧節(jié)點(diǎn)可以提供毫秒級延遲的分析和操作。制造商不必通過云數(shù)據(jù)中心的路由來實(shí)現(xiàn)此實(shí)時決策。

HN8062A接地電阻表校驗(yàn)裝置

 

用于檢定JJG336-2004《接地電阻表檢定規(guī)程》所適用的我目前生產(chǎn)的型號的模擬式、數(shù)字式接地電阻表以及進(jìn)口的同類儀表，也可做普通電阻箱使用，具有調(diào)節(jié)范圍寬，使用方便，造型美觀等優(yōu)點(diǎn)。 為提高輸入級的浪涌防護(hù)能力，在外圍增加了壓敏電阻和TVS管。但圖中的電路、原目的是想實(shí)現(xiàn)兩級防護(hù)，但可能適得其反。如果中MOV2的壓敏電壓和通流能力比MOV1低，在強(qiáng)干擾場合，MOV2可能無法承受浪涌沖擊而提前損壞，導(dǎo)致整個系統(tǒng)。同樣的，電路，由于TVS響應(yīng)速度比MOV快，往往是MOV未起作用，而TVS過早損壞。所以正確的接法一般是如圖、所示，在兩個MOV或是MOV和TVS之間接一個電感。

主要技術(shù)指標(biāo)：
1、模擬接地電阻

步進(jìn)阻值（Ω）	*1000	*100	*10	*1	*0.1	*0.01	*0.001
功率（W）	0.25	0.25	0.25	0.25	0.1	0.1	0.1
基本誤差極限（α%）	0.1	0.1	0.1	0. 1	1	5	10
時間常數(shù)τ（S）	≤5*10-6
阻值調(diào)節(jié)范圍（Ω）	0.1--11111.210 小步進(jìn)值0.001Ω

2、模擬輔助接地電阻

電阻值（Ω）	0	500	1000	2000	5000
基本誤差極限（α%）	<0.05Ω	1Ω
功率（W）	0--0.25W

偏光儀，翡翠的晶體結(jié)構(gòu)可以采用偏光儀進(jìn)行檢測。這是一款結(jié)構(gòu)簡單、操作方便的常用寶石鑒定儀器，對鑒別均質(zhì)體、非均質(zhì)體和集合體具有重要的作用。真翡翠在偏光儀下不會消光，呈現(xiàn)全亮。硬度計(jì)用硬度計(jì)考察翡翠的硬度。一般來說，翡翠的摩氏硬度在6.5-7.5，比玻璃硬得多，所以使用硬度計(jì)可以輕松辨別出用玻璃冒充的假翡翠。電子天平不過，目前所有檢測硬度的技術(shù)都是有損鑒定，成品翡翠的鑒定是很少會用到硬度檢測的。相比之下，無損的密度檢測更適用于成品翡翠的鑒定。

HN8063A耐電壓測試儀校驗(yàn)裝置

一、性能特點(diǎn)

1、測量準(zhǔn)度：

蘭色段開始變彎曲，斜率逐漸變小。紅色段就幾乎變成水平了，這就是“飽和"。實(shí)際上，飽和是一個漸變的過程，蘭色段也可以認(rèn)為是初始進(jìn)入飽和的區(qū)段。在實(shí)際工作中，常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。在圖中就是假想綠色段繼續(xù)向上延伸，與Ic=50MA的水平線相交，交點(diǎn)對應(yīng)的Ib值就是臨界飽和的Ib值。圖中可見該值約為0.25mA。由圖可見，根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài)，實(shí)際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上，才能達(dá)到真正的飽和；倍數(shù)越大，飽和程度就越深。先來看看電容，電容的作用簡單的說就是存儲電荷。我們都知道在電源中要加電容濾波，在每個芯片的電源腳放置一個0.1uF的電容去耦。等等，怎么我看到要些板子芯片的電源腳旁邊的電容是0.1uF的或者0.01uF的，有什么講究嗎。要搞懂這個道道就要了解電容的實(shí)際特性。理想的電容它只是一個電荷的存儲器，即C。而實(shí)際制造出來的電容卻不是那么簡單，分析電源完整性的時候我們常用的電容模型如下圖所示。圖中ESR是電容的串聯(lián)等效電阻，ESL是電容的串聯(lián)等效電感，C才是真正的理想電容。